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SK하이닉스 "HBM, 내년까지 완판"…12단 HBM3E 3분기 양산

곽노정 대표는 내실 있는 ‘질적 성장’을 이루고, 수익성을 높이면서 재무 건전성까지 제고하겠다 밝혔다.

  • 바카라 확률입력 2024.05.02 19:01
  • 기자명이세연 기자
곽노정 SK바카라 확률닉스 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 열린 기자간담회에서 오프닝 발표를 진행하고 있다. [사진=SK바카라 확률닉스]
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이2일 이천 본사에서 열린 기자간담회에서 오프닝 발표를 진행하고 있다. [사진=SK하이닉스]

[WHY? SK하이닉스가 HBM 시장 선두 자리를 공고히 하겠다고 자신감을 내비쳤다.]

SK하이닉스가 HBM 완판 소식과 함께12단 HBM3E 3분기 양산 계획을 알렸다.

곽노정 SK하이닉스 대표는 2일 경기도 이천 본사에서 열린 기자간담회에서 "현재 HBM은 올해 이미 솔드아웃(완판)이고, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"며"HBM3E 12단 제품은5월 샘플로 제공하고, 3분기 양산가능하도록 준비하고 있다"고 밝혔다.

이어"하반기 시장 변화도 있어서 정확히 말할 수는 없지만, 올해까지 HBM 누적 매출액은 백수십억 달러가 될 것"이라고말했다. 이는 경쟁사인 삼성전자의누적 예상 매출액(100억 달러)을 넘는 수치다.

12단 HBM3E 3분기 양산 소식도 삼성전자를 의식한 모습이다.삼성전자는 지난달 30일 12단 제품 양산 시점을 올해 2분기로 앞당기겠다고 발표한 지 이틀 만에 맞불을 놓은 것.12단 HBM3E는기존에 상용화된8단 제품대비 성능·용량이 50% 이상 개선됐다.

곽노정 대표는 "향후 SK하이닉스는 내실 있는 '질적 성장'을 위해 원가 경쟁력을 강화하고, 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 수익성을 지속적으로 높여 가는 한편, 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 캐시(현금) 수준을 높여재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획이다"고 덧붙였다.

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 김주선 사장(AI Infra 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 김영식 부사장(제조기술 담당)등 주요 경영진의발표 세션도 진행됐다.

먼저 김주선 사장은 'AI 메모리 비전'을 주제로 한 발표에서 SK하이닉스의 AI 기술 리더십을 강조했다. 그는 "SK하이닉스는D램 부문에서HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다"며 "낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"고 말했다.

또 차세대 제품 개발 계획에 대해서는"HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라CXL 풀드 메모리 솔루션, PIM등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"며 "글로벌 탑티어 시스템 반도체, 파운드리 등 파트너들과 '원팀' 협업해 최고의 제품을 적시 개발 및 공급하겠다"고 전했다.

다음으로 최우진 부사장은'SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진'을 주제로 한 발표에서 "당사가 도입한 어드밴스드(Advanced)MR-MUF기술은신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다.(칩이 휘는) 워피지(Warpage) 현상에도탁월한 고온·저압 방식으로, 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이다"고 말했다.

이어 "HBM4에도 이 기술을 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며,하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다"고 말했다.

최 부사장은"인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정이다"고 덧붙였다.

마지막으로 김영식 부사장은'청주 M15x 및 용인 클러스터 투자' 발표를 통해 "청주에 설립할 M15x는연면적 6만 3000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다. TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다"며 "지난달 M15x 팹 건설 공사에 착수했으며, 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획이다"고 전했다.

용인 클러스터에 대해서는 "이곳에 팹 4기를 순차적으로 구축할 계획이다. 클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중이며, 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%"라며 "약 9000억 원을 투자해, 소부장 업체들이시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있는 미니팹도 건설할 예정이다"고 강조했다.


CXL 풀드 메모리 솔루션여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 구성하고, 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 용량을 나눠 쓰도록 하는솔루션

PIMProcessing-In-Memory, 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 AI와빅 데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 차세대 기술

MR-MUFMass Reflow-Molded UnderFill,매스 리플로우(MR)는 적층된 칩 사이의 범프를 녹여 칩끼리 연결하는 기술. 몰디드 언더필(MUF)은 적층된 칩 사이에 보호재를 채워 내구성과 열 방출 효과를 높이는 기술

/ 바카라 확률 이세연 기자 mvdirector@fortunekorea.co.kr

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