[Why?그는다운턴 위기를 기회로 바꾼HBM의TSV기술처럼 미래를 위한 다양한 요소 기술개발이 중요하다고 생각한다.]

"SOM은 데이터를 빠르게 처리하는D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있다. 격변하는D램과 낸드 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다"

이재연SK하이닉스 글로벌 RTC부사장은 22일공개된 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 이같이 말했다.

이재연부사장은DRAM선행 프로젝트 연구를 시작으로ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한이머징 메모리개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가로, 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직인 '글로벌RTC'의신임 임원으로 선임됐다.

이 부사장은 국내외 반도체 기업,대학,연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로ORP를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받았다.

그는 이머징 메모리가AI시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이라는 기대감을 내비쳤다.

이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재SOM, Spin, 시냅틱메모리, ACiM등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다.

이 부사장은 "사람의 뇌를 모방한AI반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는ACiM역시 우리의 연구 분야이며,이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 설명했다.

특히 그는다운턴 위기를 기회로 바꾼HBM의TSV기술처럼 미래를 위한 다양한 요소 기술개발이 중요하다고 언급했다.TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술을, 요소 기술은 제품의 특성 변화와 개선을 구현하는 데 필요한 핵심적인 기술을 말한다.

이 부사장은 "HBM의 중요 요소 기술인TSV는15년 전 미래 기술 중 하나로 연구가 시작됐다. AI시대를 예견하고 개발한 기술은 아니지만,오늘날 대표적인AI반도체 기술로 손꼽히고 있다.이처럼 우리는 어떻게 급변할지 모르는 미래를 대비해 또 다른 멋진 요소 기술 개발에 힘써야 한다"고 강조했다.

이머징 메모리기존의 D램이나 낸드 플래시와 달리 새로운 형태나 원리를 기반으로 하는 메모리 기술. RRAM, MRAM, PCM, FeRAM 등이 대표적이다.

ORPOpen Research Platform,기술 혁신 파트너십 강화를 통해 선제적 연구·개발 생태계를 구축하기 위한 플랫폼.

SOMSelector-Only Memory, 메모리와 셀렉터 역할을 모두 수행할 수 있는 두 개의 전극과 듀얼 기능 재료로 구성된 반도체. (셀렉터는 워드(Word) 라인과 비트(Bit) 라인 사이전압에 따라 반응하는 장치)

/ 인터넷 바카라 이세연 기자 mvdirector@fortunekorea.co.kr