[WHY? 낸드 적층 경쟁이 가열되고 있다. 삼성전자는 업계 최고 적층 단수인286단을 적용한 '9세대 V낸드' 생산을 시작했다.]

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.

업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소몰드(Mold) 두께를 구현해 낸드의비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.

더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며,셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로, '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.

채널 홀 에칭은몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 8세대 V낸드 대비 성능이 33% 향상된 것이다.삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

또 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해이전 세대 대비 소비 전력을약 10% 개선했다. 삼성전자는 "환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것"이라고 말했다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록고용량∙고성능제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있다"며"9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한편, 삼성전자는 올 하반기'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 계획이다.

/ 슬롯 무료 사이트 이세연 기자 mvdirector@fortunekorea.co.kr